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Renesas R7FS7G27H2A01CBD微控制器: 240MHz Arm Cortex-M4處理器

2025-01-07 09:51:30

Renesas S7G2微控制器組是高性能微控制器，核心性能強，搭載240 MHz的Arm Cortex-M4核心等；內(nèi)存豐富，有多種類型及相關(guān)功能；連接性佳，配備多種接口；模擬功能、定時器多樣；支持多種加密算法保障安全；具備系統(tǒng)和電源管理功能；有人機界面相關(guān)功能；多時鐘源；通用I/O端口多達172個；工作電壓2.7至3.6 V，工作溫度范圍為 -40°C至+85°C或 -40°C至+105°C，有多種封裝選項，適用于高性能、計算密集型、網(wǎng)絡控制等多種應用 。

ARIZONA Capacitors W90系列高壓電容器3000V-150000kV

2025-01-07 08:51:33

ARIZONA Capacitors W90系列額定電壓范圍為3kVDC至150kVDC，電容值最高可達2.000 μF，標準容差±10%；工作溫度范圍（G10外殼材料）按不同降額情況有所不同，全額定溫度時為 -55°C至60°C，30%降額時為 -55°C至85°C，50%降額時為 -55°C至105°C，75%降額時為 -55°C至125°C；絕緣電阻在25 - 50kΩ，1,000Hz下?lián)p耗因子小于0.6%，經(jīng)過130%額定電壓1分鐘測試，生產(chǎn)流程符合ISO 9001:2015認證，符合MIL-STD-202測試標準，可按需符合ROHS標準。

PESD24VL2BT低電容雙向雙ESD保護二極管NXP現(xiàn)貨

2025-01-07 08:44:03

PESD24VL2BT是NXP公司的低電容ESD保護設(shè)備產(chǎn)品，采用SOT23封裝，是低電容雙向雙ESD保護二極管，用于保護兩條信號線免受ESD或瞬態(tài)電壓損壞。其特性包括兩條線路ESD保護、超低漏電流、350W最大峰值脈沖功率、高達23kV的ESD保護、低鉗位電壓等，符合相關(guān)標準；應用領(lǐng)域涉及計算機和外設(shè)、通信系統(tǒng)、音頻視頻設(shè)備、便攜式電子設(shè)備、手機及附件、SIM卡保護等。

PDI VN04系列恒溫晶體振蕩器(OCXO)

2025-01-06 09:11:27

PDI VN04系列是烤箱控制晶體振蕩器(OCXO)，能在苛刻環(huán)境下確保精確頻率，具有超低相位噪聲、高振動環(huán)境表現(xiàn)出色及采用雙重密封石英晶體等特點，可提供定制頻率，且公司提供快速樣品服務、大規(guī)模生產(chǎn)能力和有競爭力的定價；產(chǎn)品主要規(guī)格包括尺寸、頻率范圍、輸出類型等多方面參數(shù)，還給出了頻率穩(wěn)定性、頻率調(diào)整、電源功耗、輸出電壓、負載、相位噪聲等具體指標。

ICE40UL1K-SWG16ITR FPGA現(xiàn)場可編程門陣列Lattice

2025-01-06 09:04:59

iCE40 UltraLite家族是Lattice公司生產(chǎn)的FPGA和傳感器管理器，專為超低功耗移動應用（如智能手機、平板電腦等）設(shè)計，包含與移動傳感器和應用處理器接口的集成塊。其特點包括靈活邏輯架構(gòu)（有640或1K查找表兩種設(shè)備）、超低功耗（40納米低功耗工藝，待機電流35微安）、嵌入式和分布式存儲等；應用領(lǐng)域涉及多傳感器管理、IR遙控等；技術(shù)規(guī)格方面，不同型號邏輯單元數(shù)量不同，均有14個EBR內(nèi)存塊等，封裝有16球WLCSP和36球ucBGA兩種選項。

FSLD52TE-156.25MHz晶體控制振蕩器Connor-Winfield

2025-01-06 09:00:53

Connor-Winfield FSLD52TE是表面貼裝3.3V固定頻率晶控振蕩器(XO)，有HCMOS三態(tài)輸出，專為低抖動和嚴格頻率穩(wěn)定性應用設(shè)計。其特點包括低抖動（<1ps RMS）、三態(tài)使能/禁用等；電氣規(guī)格涵蓋中心頻率19.44 MHz至167 MHz、總頻率容差±50ppm等；輸入特性有使能和禁用電壓；HCMOS輸出特性涉及負載、高低電平電壓電流等，啟動時間為10ms。

Ampleon CLL3H0914L-700和CLL3H0914LS-700 RF GaN-SiC HEMT功率晶體管

2025-01-03 08:54:49

Ampleon公司的CLL3H0914L-700和CLL3H0914LS-700是700W內(nèi)部預匹配的RF GaN-SiC HEMT功率晶體管，適用于0.9 GHz至1.4 GHz頻率范圍，具有出色的效率、熱阻和堅固性，適用于航空電子應用；關(guān)鍵特性包括不同頻率下的輸出功率、功率增益、漏極效率、輸入回波損耗等參數(shù)，還涉及熱阻、漏源電壓等多項指標，儲存溫度為-65℃ ~+150℃，且能承受特定條件下的額定負載功率。

Wi2Wi VNO5系列溫控晶振(OCXO)

2025-01-03 08:50:06

Wi2Wi的VNO5系列是一款溫控晶振（OCXO），能在苛刻條件下確保精確頻率，具有超低相位噪聲、高振動環(huán)境表現(xiàn)出色及采用雙重密封石英晶體等特點，可按需定制頻率，提供樣品滿足原型設(shè)計需求，具備大規(guī)模生產(chǎn)能力和競爭力定價；產(chǎn)品規(guī)格涵蓋尺寸、頻率范圍、電源電壓范圍等多項參數(shù)，還給出了相位噪聲典型值，最后附有訂購指南。

LS1028A/LS1018A工業(yè)與汽車應用處理器NXP

2025-01-02 08:55:01

NXP LS1028A/LS1018A芯片相關(guān)介紹，LS1028A有兩個核心，LS1018A為單核，核心為32/64位ARM Cortex-A72，最高1.5GHz，有一定緩存配置；內(nèi)存控制器支持DDR3L/DDR4 SDRAM且支持ECC；支持多種高速串行接口并提供SerDes通道；內(nèi)置LCD控制器支持高分辨率顯示，GPU支持多種圖形標準且有特定速率；集成TSN-capable以太網(wǎng)相關(guān)組件；有多種外設(shè)接口、DMA控制器、中斷控制器與監(jiān)控單元；采用FC-PBGA封裝；適用于網(wǎng)絡、工業(yè)、打印等領(lǐng)域，因能源高效、集成度高和成本效益受青睞。

HFBM075100S高頻巴倫適配器：高速通信與極端環(huán)境應用

2024-12-31 08:36:43

HFBM075100S是一款高頻巴倫適配器，用于將100Ω平衡差分信號轉(zhuǎn)換為75Ω接地不平衡信號，適用于高速數(shù)據(jù)傳輸及飛行應用。其主要特性包括不平衡阻抗75Ω、平衡阻抗100Ω、最大插入損耗2dB等，支持高達1485Mbps數(shù)據(jù)速率，工作溫度范圍-55℃至+125℃，環(huán)境適應性強，包裝為散裝，連接器類型為BNC，應用于無線通信、廣播等需信號轉(zhuǎn)換的場合。

Solitron Devices SMF460 650V N溝道功率MOSFET

2024-12-30 08:51:50

Solitron Devices SMF460 MOSFET適用于高電壓、高電流應用（如電源轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器和高功率開關(guān)電路），關(guān)鍵特性包括連續(xù)漏極電流10A、導通電阻300mΩ、內(nèi)置快速恢復二極管、能承受高能量脈沖等；封裝為TO-254密封封裝，有背面隔離，可進行JANTX、JANTXV篩選；絕對最大額定值、電氣規(guī)格和熱阻等方面有一系列具體參數(shù)，如漏源電壓650V、結(jié)溫范圍-55°C至150°C、熱阻1.08°C/W等。

LC4128V-75TN100C CPLD復雜可編程邏輯器件Lattice

2024-12-27 09:16:44

Lattice的LC4128V-75TN100C是ispMACH? 4000V家族的高性能復雜可編程邏輯器件(CPLD)，適用于多種高速和復雜邏輯應用場景；技術(shù)規(guī)格包括邏輯塊、全局時鐘等多項參數(shù)，編程存儲方面采用EEPROM，具備系統(tǒng)內(nèi)可編程及可重編程支持；電源和環(huán)境方面有明確的電壓、溫度等要求，為商業(yè)級；采用100引腳TQFP封裝，適用于表面貼裝，尺寸為14mm*14mm*1.4mm；可應用于通信設(shè)備、工業(yè)控制系統(tǒng)、消費電子產(chǎn)品等需要高速邏輯處理和靈活設(shè)計的領(lǐng)域。

CS101,CS102,CS103...CS109電流感應變壓器Vanguard Electronics

2024-12-27 09:14:00

Vanguard Electronics的CS100系列提供高可靠性電流感應變壓器，按MIL-PRF-27規(guī)范制造，適合軍事和航空航天應用，設(shè)計緊湊扁平且便于自動放置；具有低熱膨脹、焊接內(nèi)部連接、防潮抗沖擊及浸入等特性，可定制設(shè)計和修改；電氣規(guī)格涵蓋電感值、最大電流等多項參數(shù)，工作溫度-55°C至+125°C、儲存溫度-60°C至+130°C；有多種封裝選項及類型，包括A-1至A-4封裝，提供通孔和鷗翼型封裝。

MSD5xA1G系列3.3V晶體控制振蕩器(XO)Connor Winfield

2024-12-26 09:13:15

Connor Winfield MSD5xA1G系列是密封表面貼裝3.3V晶體控制振蕩器（XO），HCMOS/TTL兼容且符合RoHS標準，專為需低抖動和嚴格頻率穩(wěn)定性的應用設(shè)計；產(chǎn)品系列包括MSD54A1G（頻率容差±20ppm）等不同型號；規(guī)格參數(shù)涉及頻率范圍1.8 - 156.25 MHz、存儲溫度-55至125°C等；主要特性有3.3V操作、低抖動等；操作規(guī)格涵蓋操作溫度范圍、供電電流、抖動及相位噪聲等相關(guān)數(shù)據(jù)；輸入特性、HCMOS輸出特性分別有對應具體參數(shù)。

Microsemi JANTX1N5618軍級整流二極管 原裝現(xiàn)貨

2024-12-24 09:28:11

JANTX1N5618是一款符合MIL-PRF-19500/427標準的軍用級別標準恢復整流二極管，屬于1N5614至1N5622系列，采用無空洞的密封玻璃封裝和三層鈍化技術(shù)，提供高可靠性和高壓承受能力（峰值反向電壓范圍200至1000伏特）。適用于軍事、航空、工業(yè)控制和電源管理等領(lǐng)域，提供通孔和表面貼裝（MELF配置）兩種封裝形式，滿足不同應用需求。

DELTA HCME656510F電感器

2024-12-24 09:10:31

PmTA-721-45-2.3低噪聲放大器Princeton Microwave

2024-12-23 09:10:01

PmTA-721-45-2.3低噪聲放大器適用于需要高增益和低噪聲系數(shù)的應用，如通信系統(tǒng)、雷達和電子戰(zhàn)系統(tǒng)。其頻率范圍為7到21GHz、小信號增益至少45dB、增益平坦度±1.25dB、中頻帶噪聲系數(shù)2.3dB、輸入和輸出回波損耗均為-10dB、輸出功率至少15dBm、工作直流電壓12V、工作直流電流100mA、連接器為SMA Female。

Solitron Devices SMF182 500V N溝道功率MOSFET

2024-12-23 09:05:11

Solitron SMF182是一款500V N溝道功率MOSFET，專為高電壓和中電流的電力轉(zhuǎn)換應用設(shè)計，具備7A連續(xù)漏極電流和850mΩ導通電阻，支持高效能和低功耗。其內(nèi)置快速恢復二極管和優(yōu)化的電氣性能（如1.5V體二極管正向電壓和700ns反向恢復時間）進一步提升了開關(guān)效率。SMF182還具有出色的熱管理能力（0.767°C/W熱阻），適用于電源轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器和高功率開關(guān)電路等領(lǐng)域。

NXP QorIQ LS1088A/LS1048A多核通信處理器

2024-12-20 09:01:28

LS10x8A系列是一款多核通信處理器，集成了四到八個ARM Cortex-A53核心，最高頻率1.6 GHz，適用于無線接入點、網(wǎng)絡基礎(chǔ)設(shè)施和工業(yè)應用。該處理器配備32 KB L1緩存、1 MB L2緩存（支持ECC）、NEON SIMD協(xié)處理器和ARMv8加密擴展。內(nèi)存控制器支持32/64位DDR4 SDRAM，最高速率2.1 GT/s。其數(shù)據(jù)路徑加速架構(gòu)（DPAA2）提供數(shù)據(jù)包解析、分類、加密加速等功能，支持多種高速接口如PCIe 3.0、SATA 3.0、SGMII和XFI。其他外設(shè)包括QSPI、SPI、USB 3.0、I2C等，封裝為780 FC-PBGA，廣泛應用于路由器、虛擬CPE、工業(yè)通信和安全設(shè)備等領(lǐng)域。

Microsemi 1N3826AUR-1齊納二極管

2024-12-20 08:57:13

Microsemi 1N3826AUR-1是一款5.1V、5%容差的Zener二極管，采用DO-213AB封裝，具有1000毫瓦的功率和7歐姆的阻抗。其電氣特性包括3.3V至6.2V的Zener電壓、276至146歐姆的阻抗，以及3至100μA的最大反向漏電流。該二極管適用于-65°C至+175°C的工作和存儲溫度，且在超過125°C后每升高1°C功率降額20mW。