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  Vishay BRCPA9500BKGHWS薄膜條形MOS電容器 2024-10-22 08:57:02

  Vishay BRCP系列薄膜條形MOS電容器采用堅固MOS結(jié)構(gòu)，具有低介電損耗和高Q值，支持多種線焊點，A型外殼最少7個焊點，B型外殼最少15個焊點，且負載壽命穩(wěn)定性出色。其關(guān)鍵優(yōu)勢包括絕對容差低至±5%，溫度系數(shù)低至±50ppm/°C。應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，包括混合組裝、濾波器、射頻阻斷、阻抗匹配和高頻/高功率應(yīng)用。電氣規(guī)格涵蓋電容范圍5-100pF，工作溫度-55至+150°C，最大工作電壓100V。機械規(guī)格方面，芯片基板為硅，介質(zhì)為二氧化硅，頂部覆蓋層為至少1微米厚的金，外殼尺寸和焊盤數(shù)量符合特定要求。

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  Solitron 2N3957/2N3958小信號JFET 2024-04-07 10:02:28

  Solitron 2N3957/2N3958小信號JFET是一種雙通道N型溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)。它們被設(shè)計為具有高輸入阻抗，特別適用于中到高頻的高輸入阻抗應(yīng)用。其典型噪聲為6nV/Hz，并具有低CIS(柵源電容)，典型值為3.5pF。這些元件被用作其他2N3957和8個部件的替代品。