Statek低頻振蕩器設計的比較
發(fā)布時間:2024-01-08 09:31:04 瀏覽:619
Statek低頻振蕩器設計的比較
振蕩器類型
晶體控制振蕩器可分為兩大類:正電抗或負電抗。正電抗模式通常被稱為“平行諧振”或“反諧振”振蕩器。皮爾斯振蕩器是一種常見的正電抗振蕩器。負電抗模式通常被稱為串聯(lián)振蕩器。Statek晶體的設計和調整為特定的操作模式(表1)。
模式 | 振蕩器 | 晶體推薦 | |
正電抗 | 皮爾斯或并聯(lián) | CX-1V or CX-2V | 使用單逆變器 |
負電抗 | 系列 | CX-1H or CX-2H | 使用兩個逆變器 |
表1:推薦用于基本振蕩器電路的Statek晶體
皮爾斯振蕩器
皮爾斯振蕩器(圖1)采用單逆變器,具有兩個移相電容和在反饋回路中提供180°℃相移的晶體。晶體的導電行為就像電感一樣。振蕩頻率比晶體的串聯(lián)諧振頻率高30ppm ~ 300ppm。如果晶體從電路中取出,振蕩器通常會停止振蕩。與串聯(lián)振蕩器相比,穿孔式振蕩器通常啟動較慢,電流較小。小型化的便攜式設備(電池供電),包括手持數(shù)據輸入終端,都使用了皮爾斯振蕩器。
系列振蕩器
通常,串聯(lián)振蕩器(圖2)由兩個級聯(lián)的逆變器組成,晶體連接在第二個逆變器輸出和第一個逆變器輸入之間。這種晶體的電行為就像電容器一樣。如果晶體被移除,振蕩器通常會以更高的頻率自由運行。與穿孔振蕩器相比,它啟動更快(通常為100毫秒),并吸收更大的電流。
皮爾斯還是系列?
晶體或振蕩器類型的選擇主要取決于性能要求。表2總結了穿孔振蕩器和串聯(lián)振蕩器的性能特點。CX-1V晶體的Q值比CX-1H高,因為它是密封在真空包裝中。CX-1H晶體具有大約3到5倍高的運動阻力(低Q),因為它是密封的,接近大氣壓。
振蕩器的特點 | 系列振蕩器 CX-1H, CX-2H | 皮爾斯振蕩器 CX-1V, CX-2V |
振蕩電流 | 0.1 - 5mA | 10-600 μA |
開始時間 | 小于_秒 | 小于1秒 |
長期穩(wěn)定 | 通過晶體時效測定 | 通過晶體時效測定 |
溫度穩(wěn)定性 | 晶體測定 | 晶體測定 |
晶體故障(打開) | 通常自由運行1.5-2x晶體頻率 | 停止振蕩 |
包裝密封失效 | 頻率下降 | 振蕩停止或頻率下降 |
頻率調整 | More difficult than pierce | 易于修剪電容器 |
表2:皮爾斯振蕩器和串聯(lián)振蕩器的特性
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