Solitron SMF473 400V N溝道功率MOSFET
發(fā)布時間:2024-09-10 09:10:21 瀏覽:905
Solitron SMF473是一款專為高功率應(yīng)用設(shè)計的400V N溝道功率MOSFET。它具備多項關(guān)鍵特性,包括低R DS(on)(在400V時為40mΩ,10V時為22mΩ典型值)、高耐壓(400V)、高輸入電容(C iss,最大2900pF)和高輸出電容(C oss,最大3900pF),以及低反向恢復(fù)電荷(Q rr,最大22nC)。這些特性使SMF473在開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動和服務(wù)器電源等應(yīng)用中表現(xiàn)卓越。
該MOSFET的電氣規(guī)格全面,包括連續(xù)漏極電流ID為23A(在特定條件下),脈沖漏極電流IDM高達(dá)92A,最大功率耗散P為250W,并具備線性降額因子2W/°C。其工作溫度范圍廣泛,從-55°C至150°C,存儲溫度范圍同樣為-55°C至150°C,確保了在各種環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。
SMF473采用TO-247-3L和D-Pak封裝,不僅提供了良好的散熱性能,還便于在電路板上安裝和使用。其詳細(xì)的規(guī)格參數(shù)和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域,使得Solitron SMF473成為高功率電子設(shè)計中的理想選擇。
應(yīng)用領(lǐng)域:
- 開關(guān)模式和諧振模式電源
- 直流-直流轉(zhuǎn)換器
- PFC電路
- 交流和直流電機(jī)驅(qū)動
- 機(jī)器人與伺服控制
參數(shù):
PARAMETER SYMBOL VALUE CONDITIONS | |||
Continuous Drain Current | I | 23A | V=10V,T=25℃ |
14A | Ves=10V,Te=100℃ | ||
Pulsed Drain Current (see note 1) | I | 92A | |
Max.Power Dissipation | P | 250W | T=25℃ |
Linear Derating Factor | 2W/℃ | ||
Gate-to-Source Voltage | V | :20V | |
Single Pulse Avalanche Energy (see note 2) | E | 980mJ | |
Avalanche Current (see note 1) | I | 23A | |
Repetitive Avalanche Energy (see note 1) | E | 25mJ | |
Peak Diode Recovery dv/dt (se note 3) | dv/dt | 4V/ns | |
Operating JunctionTempeature | T | 55℃to 150℃ | |
Storage Temperature Range | T | -55℃to 150℃ | |
Lead Temperature | 300℃ | 0.063in. (1.6mm)from case for 10s | |
Weight (typical) | 9.3g |
Solitron SMF178 500V n溝道功率MOSFET 是一款高性能的半導(dǎo)體器件,適用于各種需要高電壓和高電流處理能力的應(yīng)用。其出色的電氣特性、快速切換能力和可靠性使其成為工業(yè)和消費(fèi)電子領(lǐng)域的理想選擇。無論是用于電源管理、電機(jī)控制還是其他高功率應(yīng)用,SMF178 都能提供卓越的性能和穩(wěn)定性。
推薦資訊
SD11461 是 Solitron Devices 生產(chǎn)的一款高性能 N 通道功率 MOSFET,具有 100V 漏源電壓和 35A 連續(xù)漏極電流,導(dǎo)通電阻低至 25mΩ,采用 TO-258/TO-254 封裝,支持快速開關(guān)(如 15ns 開啟延遲)和高功率耗散(147W)。其工作溫度范圍廣(-55°C 至 +150°C),適用于電源管理(如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器)、電機(jī)驅(qū)動及高頻應(yīng)用,電氣特性包括 2.0-4.0V 閾值電壓、87nC 柵極電荷,并集成高效源極二極管(1-1.5V 正向電壓)。封裝設(shè)計兼顧散熱與緊湊性,滿足工業(yè)和惡劣環(huán)境需求。
Q-TECH?的表面安裝QTCC353振蕩器通過一個集成電路芯片5Vdc、3.3Vdc、2.5Vdc和1.8Vdc時鐘功率傳感器和一個3點(diǎn)組裝微型色帶AT石英諧振器組合而成,QTCC353晶體振蕩器內(nèi)放置具有電鍍接觸墊的超薄型陶瓷封裝中。
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