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射頻功率晶體管(RF Power Transistor)，是專門設計用于射頻(Radio Frequency)應用的功率放大器。它具有高頻率特性、線性度好、能夠在射頻范圍內產生高功率輸出等特點，常用于無線通信、衛(wèi)星通信、雷達、廣播電視發(fā)射等高頻率應用中。
功率LDMOS晶體管:
這款 1600W LDMOS RF功率晶體管基于先進堅固耐用技術 (ART)，旨在涵蓋 ISM、廣播和通信的廣泛應用。無與倫比的晶體管具有 1 MHz 至 425 MHz 的頻率范圍。
ART1K6FH; ART1K6FHS; ART1K6FHG選型：
| ART1K6 | ART1K6FH | ART1K6FHU |
特點和優(yōu)勢：
高擊穿電壓可在 V 下實現(xiàn) E 類操作DS= 48 伏
適用于 VDS= 50 和 55 V
最高可達 VDS= 55 伏
額定電壓范圍為 30 V 至 55 V，適用于擴展功率范圍
輕松控制電源
集成的雙面 ESD 保護可實現(xiàn) C 類操作并完全關斷晶體管
出色的堅固性，不會降低器件性能
高效率
優(yōu)異的熱穩(wěn)定性
專為寬帶操作而設計
應用：
工業(yè)、科學和醫(yī)療應用
等離子發(fā)生器
MRI系統(tǒng)
一氧化碳2激光器
粒子加速器廣播
調頻收音機
VHF電視通信
非蜂窩通信
UHF雷達
